技术参数：
• Ic nom(A)             800A/ICRM=1600A
• VCES                   4500V
• 电路结构               一单元

电气特性：
• VCEsat带正温度系数
• 低VCEsat
• 沟槽栅IGBT3
• 高动态坚固性
• 高直流电压稳定性
• 高短路能力

机械特性：
• 加强绝缘封装
• 封装CTI>600
• AISIC基板提供更高的温度循环能力
• 绝缘的基板
• 高爬电距离和电气间隙

目标应用：
• 中压变流器
• 多电平逆变器
• 大功率变流器
• 牵引变流器
• 电机传动